طراحی و رشد سلول خورشیدی با ساختار pn با نیمه هادی گالیم آرسناید (gaas)، به روش mbe

هدف از این پایان نامه طراحی و رشد سلول خورشیدی با ساختار pn با نیمه هادی گالیم آرسناید، به روش رونشستی پرتو مولکولی (mbe) می باشد. اساس تولید انرژی الکتریکی در سلول های خورشیدی، پدیده فتوولتائیک است که طی آن در یک دیود pn براثر تابش نور، جریان الکتریکی تولید می شود. دلیل استفاده از دیود pn این است که برای تبدیل نور به انرژی الکتریکی لازم است الکترون ها و حفره های تولید شده توسط نور، از یکدیگر جدا شوند و هر دسته به یکی از اتصال های خارجی هدایت شود. برای تحقق این امر به یک میدان الکتریکی داخلی نیاز است که در نیمه هادی تولید شود و این نیز با استفاده از پیوند دیودی امکان پذیر است . در این پایان نامه سعی بر این است که اصول اساسی سلولهای خورشیدی دیودی مرور شود و به این منظور به بررسی اثر تابش نور بر نیمه هادی و پیوند دیودی و همچنین روابط و پارامترهای مهم در سلول های خورشیدی دیودی پرداخته شود.